ITO 靶材

ITO靶材以磁控濺射等方式用于導(dǎo)電玻璃的制備. ITO鍍膜具有導(dǎo)電性、對可見光的透明性以及對紅外線的反射性三個特性，其廣泛用于顯示屏、玻璃幕墻、觸摸屏、太陽能電池、雷達(dá)屏蔽、冰柜、防霧玻璃等產(chǎn)品，尤以顯示屏為大宗。
ITO 旋轉(zhuǎn)靶材和ITO 平面靶材我們均可提供。
我們的ITO旋轉(zhuǎn)靶材已通過G8.5的認(rèn)證，以無壓燒結(jié)法制作的ITO靶材具有高密度、高焊合率以及大尺寸的特性。
純度： ≥99.995%
雜質(zhì)元素含量: Si ≤5； Fe ≤3； Ca ≤3； Na ≤3； Cu ≤2； Cd ≤1。
產(chǎn)品優(yōu)勢：
三十道生產(chǎn)工藝；
獨(dú)立檢測體系；
密度偏差<0.10%；
相對密度：≥99.8%；
理論密度高達(dá)：7.156。
 
ITO靶材技術(shù)指標(biāo)

specifications of ITO target

性能	標(biāo)準(zhǔn)值
化學(xué)成分（wt%）	In2O3:SnO2=90:10
單塊平面靶材最大規(guī)格（mm）	1200×400×(6.0～10)
單塊旋轉(zhuǎn)靶材最大規(guī)格（mm）	Ф135×Ф153×450
相對密度	≥99.8%
理論密度	7.156g/cm3
體積電阻率	1.35×10-4Ω·cm
抗彎強(qiáng)度	≥150Mpan
純度	≥99.995%
失氧率	≤0.5%

 
ITO靶材穩(wěn)定性測試

THK	退火前ITO膜厚465±10Å，退火后400±10Å
	THK Unif 8%以內(nèi)，膜厚相對穩(wěn)定
Rs	退火前Rs均值在200±20Ω/sq，滿足實驗線Spec（Spec：AVE>120/sq）
	退火后Rs均值在60±10Ω/sq，單點最大值<100Ω/sq，滿足實驗線Spec（Spec：Ave<70Ω/sq，Max<120Ω/sq）
CD loss	刻蝕后CD loss在-0.3µm~0.3µm之間波動，刻蝕穩(wěn)定性良好
退火后Tr	退火后在各波段Tr：450nm>87.5%，550nm>93%，610nm>94.8%（Spec：450nm>85%，550nm>87%，660nm>87%）
Particle增量	成膜Particle增量隨著Mask壽命的增加，有上升趨勢，更換Mask后有明顯改善。各次測量值均<150EA
靶材表面狀況	靶材表面無開裂、結(jié)瘤現(xiàn)象，靶材表面整體穩(wěn)定性良好