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半導(dǎo)體晶體

我們提供的 半導(dǎo)體晶體包含以下幾種材料:

一、SOI 晶體材料

  SOI是將一薄層硅置于絕緣襯底上?;赟OI結(jié)構(gòu)上的器件將在本質(zhì)上可以減小結(jié)電容和漏電流,提高開關(guān)速度,降低功耗,實(shí)現(xiàn)高速、低功耗運(yùn)行。
外形尺寸
4英寸;6英寸;8英寸
工藝
Smart cut; Bonding; SIMOX 
類型
N/P
電阻率
可選
頂層單晶厚度
0.22~50μm
埋氧層
0.4~4μm
基底層厚度
100~500μm
TTV
<3μm
Particle
<10@0.3μm


二、砷化鎵(GaAs)晶體材料

摻雜:Si
導(dǎo)電類型:導(dǎo)電類型
生長方法:VGF(垂直梯度凝固法) HB(垂直布里奇曼法)
晶向:
(100) 0°±0.5°,(100) 2°±0.5°off toward <111>A,(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸:25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm,可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度:
Surface roughness(Ra):<=5A,可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測(cè)報(bào)告

拋光:單面或雙面
包裝:100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室


 

三、氧化鋅(ZnO)晶體材料

晶體結(jié)構(gòu)
六方
晶格常數(shù)
a=3.252Å    c=5.313 Å
密度
5.7(g/cm3)
硬度
4(mohs)
熔點(diǎn)
1975℃
熱膨脹系數(shù)
6.5 x 10-6 /℃//a     3.7 x 10-6 /℃//c
熱 容
0.125 cal /g.m
熱電常數(shù)
1200 mv/k @ 300 ℃
熱 導(dǎo)
0.006 cal/cm/k
透過范圍
0.4-0.6 um > 50% at 2mm
晶向
<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5º
尺寸(mm)
25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的襯底
表面粗糙度
Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒顯微鏡(AFM)檢測(cè)報(bào)告
拋光
單面或雙面
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室

四、碳化硅(SiC)晶體材料

主要應(yīng)用領(lǐng)域
1.高頻大功率電力電子器件? Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN    diodes 、IGBT
2.光電子器件:主要應(yīng)用于GaN/SiC 藍(lán)光LED的襯底材料(GaN/SiC)LED
生長方法
MOCVD
晶體結(jié)構(gòu)
六方
晶格常數(shù)
a=3.07 Å     c=15.117 Å 
排列次序
ABCACB
方向
生長軸或 偏<0001> 3.5 º
帶隙
3.02 eV (間接)
硬度
9.2(mohs)
密度
3.21g/cm3
折射率
no=2.55   ne=2.59
熱傳導(dǎo)@300K
3 - 5 x 106W/ m
介電常數(shù)
e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
尺寸
10x10mm,15x15mm, 20x20mm,Dia50.8mm,Dia76.2mm,Dia102.4mm
厚度
厚度:0.35mm
拋光
單面或雙面
晶向
<001>±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室

五、鍺(Ge)晶體材料

用途:制作半導(dǎo)體器件,紅外光學(xué)器件,及太陽能電池沉底等材料。
生長方法
提拉法
晶體結(jié)構(gòu)
立方
晶格常數(shù)
a=5.65754 Å       
密 度
5.323g/cm3
熔點(diǎn)
937.4℃
摻雜物質(zhì)
不摻雜
摻Sb
摻Ga
類型
/
N
P
電阻率
>35Ωcm
0.01~10Ωcm
0.01~10Ωcm
EPD
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
<4×103∕cm2
尺寸
10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,
Dia4",Dia3";Dia2”;或按照客戶要求劃片
厚度
0.5mm,1.0mm
拋光
單面或雙面
晶向
<100>、<110>、<111>、±0.5º
晶面定向精度:
±0.5°
邊緣定向精度:
2°(特殊要求可達(dá)1°以內(nèi))
斜切晶片
可按特定需求,加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜(傾斜角1°-45°)的晶片
Ra:
≤5Å(5µm×5µm)
包裝
100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室

六、硅(Si)晶體材料

用途:用作半導(dǎo)體材料,大功率晶體管,整流器,太陽能電池等。
晶體結(jié)構(gòu) 面心立方
熔點(diǎn)(℃) 1420
密度 2.4(g/cm3)
導(dǎo)電類型/摻雜物質(zhì) I型非摻 P摻B N摻P
電 阻 率 >1000Ωcm 10-3~104Ωcm 10-3~104Ωcm
E P D ≤100∕cm2 ≤100∕cm2 ≤100∕cm2
氧含量(∕cm3) ≤1~1.8×1018 ≤1~1.8×1018 ≤1~1.8×1018
碳含量(∕cm3) ≤5×1016 ≤5×1016 ≤5×1016
尺寸 10×10mm、15×15mm、Dia50.8mm、Dia76.2mm、Dia100mm
可按照客戶需求,定制特殊方向和尺寸的基片
厚度 0.3-0.5mm、1.0mm
尺寸公差 <±0.1mm
厚度公差 <±0.015mm特殊要求可達(dá)到<±0.005mm)
拋光 單面或雙面
晶面定向精度 ±0.5°
邊緣定向精度 2°(特殊要求可達(dá)到1°以內(nèi))
取向 <100>、<110>、<111>等
包裝 100級(jí)潔凈袋,1000級(jí)超凈室
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關(guān)閉
13365870915 工作時(shí)間:9:00-18:00

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